Samsung será la primera empresa en iniciar la producción en masa de memoria flash V-NAND de novena generación

Samsung Electronics anunció que fue el primero en lanzar al mercado la producción de memoria flash V-NAND de novena generación.

En este caso hablamos de una memoria TLC con una capacidad de 1 Tbit. Es probable que se trate de una nueva memoria de 290 capas, pero Samsung no lo menciona en el comunicado de prensa.

En comparación con la memoria V-NAND de octava generación, la nueva memoria tiene una densidad de bits un 50% mayor. La V-NAND de novena generación está equipada con una interfaz de nueva generación llamada Toggle 5.1, que admite un 33% más de velocidad de entrada/salida de datos. Ahora hablamos de velocidades de 3,2 Gbps. La empresa también habla de una reducción del 10 por ciento en el consumo de energía.

La empresa señala que en la segunda mitad del año comenzará la producción en masa de la misma memoria, pero del tipo QLC.

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