Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de los semiconductores entre otros campos.
Recientemente presentó sus planes para la migración continua de la tecnología de los microprocesadores hacía los 3 y 2 nanómetros (nm) basados en la estructura de los transistores Gate-All-Around (GAA).
Con el eslogan de “Agregando una dimensión más” se espera que el evento virtual de varios días atraiga a más de 2.000 clientes y socios globales.
En el evento de este año, Samsung compartirá su visión para reforzar su liderazgo en el mercado de la fundición llevando cada parte respectiva del negocio de la fundición al siguiente nivel:
La tecnología de procesos, las operaciones de fabricación y los servicios de fundición.
GAA está listo para ofrecer 3 nm en 2022 y 2 nm en 2025
Con su potencia mejorada, rendimiento y capacidad de diseño flexible, la tecnología GAA única de Samsung; es esencial para la migración continua del proceso.
El primer nodo de proceso GAA de 3nm de Samsung que utiliza MBCFET permitirá hasta un 35 por ciento de disminución en el área, un 30 por ciento más de rendimiento o un 50 por ciento menos de consumo de energía en comparación con el proceso de 5 nm.
Además de las mejoras de potencia, rendimiento y área (PPA) a medida que ha aumentado la madurez de su proceso, el rendimiento lógico de 3nm se acerca a un nivel similar al del proceso de 4nm que actualmente se encuentra en producción en masa.
Samsung está programado para comenzar a producir los primeros diseños de chips basados en 3 nm de sus clientes en la primera mitad de 2022, mientras que su segunda generación de 3 nm se espera en 2023.
Recientemente agregados a la hoja de ruta tecnológica de Samsung, el nodo de proceso de 2nm con MBCFET se encuentra a principios de etapas de desarrollo con la vista de su producción en masa para 2025.
FinFET para CIS, DDI, MCU: Debuta la tecnología de procesos especializados de 17 nm
Samsung Foundry está mejorando continuamente su tecnología de proceso FinFET para respaldar productos especializados con competitividad rentable y específica de la aplicación.
Un buen ejemplo de esto es el nodo de proceso FinFET de 17 nm de la empresa.
Además de los beneficios intrínsecos que ofrece FinFET, el nodo de proceso tiene un excelente rendimiento y eficiencia energética aprovechando una arquitectura de transistor 3D.
En consecuencia, el FinFET de 17 nm de Samsung proporciona hasta un 43 por ciento de disminución en el área, un 39 por ciento más de rendimiento o un 49 por ciento de aumento en la eficiencia energética en comparación con el proceso de 28 nm.
Además, Samsung está avanzando en su proceso de 14 nm para admitir MRAM integrado de tipo flash o de alto voltaje de 3,3 V (eMRAM), lo que permite una mayor velocidad y densidad de escritura.
Será una gran opción para aplicaciones como unidades de microcontrolador (MCU), IoT y dispositivos portátiles.
Se espera que la plataforma de radiofrecuencia (RF) de 8 nm de Samsung amplíe el liderazgo de la compañía en el mercado de semiconductores 5G de aplicaciones sub-6GHz a mmWave.
De cara al futuro, en cooperación con sus socios, el Foro SAFE de Samsung Foundry será virtualmente en Noviembre de 2021.
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